改缩减LED功率元件测试成本PXI模组化S

PXI模组化电源量测单元(SMU)仪器问世。高亮度发光二极体()、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)等需要SMU输出瞬间高瓦数的电源进行量测，然高瓦数的SMU往往价格昂贵，有鉴于此，美商国家仪器(NI)发布新一代PXI模组化SMU仪器，助力客户大幅降低测试成本。

美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生(左)表示，PXIe 41 9颠覆传统SMU的设计与性能，准备在高功率半导体元件测试市场大展身手。右为美商国家仪器自动化测试行销经理潘建安

美商国家仪器自动化测试东亚区行销技术经理张天生表示，随着LED单价骤降，降低生产成本亦面临极大的挑战，遂让更具成本竞争力的PXI模组化测试仪器优势尽现，也因此，该公司持续推出采用PXI模组化架构开发的新款SMU仪器。

不仅是LED，IGBT、MOSFET等功率半导体元件亦需高瓦数的SMU进行测试，但随着LED和功率半导体元件的价格直落，半导体厂商已愈来愈无力负担售价高昂的高瓦数SMU，将让PXI模组化SMU势力有机会在测试仪器市场抬头。

美商国家仪器自动化行销经理潘建安指出，不同于市面上的SMU仪器仅有八个通道，该公司新推出的SMU机台PXIe 41 9可扩充多达十七个通道，不仅测试速度快三倍，更可藉此减少测试成本。

据了解，PXIe 41 9可应用于和终端，以及功率半导体元件的研发及产线端。张天生强调，由于PXIe 41 我们必须审视自己的定位与特色、质量9测试速度快又精准，且测试量大，因此在产线端更能彰显其价值。

除大大降低测试成本之外，PXIe 41 9也改善传统SMU暂态响应(Transient Response)不够快速精确的弊病。张天生说明，美商国家仪器挟独有的SourceAdapt技术，消弭传统SMU暂态响应过慢的缺陷，因此不会再发生因电压或电流过满足精英人士获取信息、日常阅读的需求。据了解冲(Overshooting)而造成待测物损毁的情形，有助进一步提高测试效率。